今天（11月19日），第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州开幕。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
出席开幕式的领导嘉宾有中国工程院院士、中国工程院原副院长、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇，中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授张荣，中国科学院院士、浙大宁波理工学院校长、浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室主任、教授杨德仁，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，中国科学院外籍院士、瑞典皇家科学院及工程院两院院士、瑞典德隆大学教授、南方科技大学讲席教授Lars SAMUELSON，工业和信息化部电子信息司集成电路处处长郭力力，工业和信息化部电子信息司集成电路处副处长朱邵歆，中国中小企业协会、国家发展改革委原气候司巡视员谢极，科技部战略规划司原司长王晓方，国际半导体照明联盟（ISA）联合秘书长、科技部国际合作司原司长靳晓明，科技部部资源配置与管理司原副司长、一级巡视员曹国英，工业和信息化部电子司原副司长季国平，国家自然科学基金委员会信息科学部原副主任何杰，苏州实验室副主任景震强，苏州市科技局副局长刘俊。此外，还有众多来自海内外相关领域的政府领导、知名专家、企业领袖、行业组织领导、投资机构以及媒体，近千人出席了开幕大会。围绕第三代半导体技术、应用，深入探讨交流最新技术进展与发展趋势，分享前沿研究成果，共议产业发展新未来。
培塑融合创新生态新思路 赋能产业升级进程
不同应用的变革升级以及新兴领域的拓展，带来第三代半导体材料应用的持续增长，带动更多应用领域的更新换代和产业升级。产业链融通，以及创新生态构建将有利于整体产业链的协同创新和良性循环，推动产业升级和经济发展。
中国工程院院士、中国工程院原副院长、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇致辞
中国工程院院士、中国工程院原副院长、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇致辞时表示，随着人工智能高算力需求爆发，新一代速度更快、功耗更低、集成度更高的半导体材料和器件成为满足信息技术面向超高速、超大容量发展的必然选择。全球正在经历新一轮电气化进程，交通运输、大算力设施等新兴应用的快速布局对更加高效、更加强劲的电能处理能力提出了迫切的需求，也成为下一代电力电子系统研发的新动力。宽禁带半导体与其他功能材料实现跨材料体系的异质集成和功能融合，开发新型器件是第三代半导体领域的重要发展趋势。半导体产业的全球化属性是不可改变的，创新对半导体行业尤为重要，加强技术研究和原始创新，实现关键核心技术突破，以创新驱动产业高质量发展，同时要坚持加强全球产业链供应链的协作，仍然是半导体产业发展的重要路径。
中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授张荣院士致辞
半导体技术，作为现代科技的核心驱动力之一，一直以来都在不断革新和突破，备受全球关注，新的时代发展趋势下，迎来了非常好的发展机遇。中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授张荣院士致辞时表示，当前，第三代半导体材料以其独特的性能优势，无论是在光电技术，还是在功率电子技术、射频电子技术方面都有着不可替代的作用，近些年发展也取得了长足的进步。第三代半导体具有产业创新和科技创新融合的特点，可以在闯出融合新路的过程当中做出更大的贡献。希望来自各地的业界同仁通过论坛深入的交流碰撞，更好的找到未来前进的方向，也为我国的产教融合，产业创新和科技创新的融合创造更好的条件。希望年轻的科技工作者和同学们通过论坛不断的探讨学习思考成长，更快的成长起来，撑起我们第三代半导体新的天空，共同书写新的辉煌篇章。
工业和信息化部电子信息司集成电路处处长郭力力致辞
苏州实验室副主任景震强致辞
新材料产业是战略性基础性产业，必将成为未来高新技术产业发展的基石和先导。苏州实验室副主任景震强致辞时表示，当前，新一轮科技革命和产业革命深入发展，新材料的研发和应用已经成为推动产业升级经济增长，培育发展新质生产力的重要力量。第三代半导体材料具有独特的优势，对于引领支撑信息产业高质量发展具有关键作用，全球科技界产业界都高度关注，竞相布局。科技强国材料必须先行，苏州实验室前瞻布局战略性材料，承担着建设全国材料科技创新高地和人才高地的重任。当前，苏州实验室正全力打造尖端人才聚集和科技体制改革两个平台，秉持开放合作的理念，将努力发挥材料领域科技攻关总平台的作用，进一步加强与国内外科研机构、高校、科技领军企业之间的协同创新，构建科学技术工程融通创新机制，力争以材料科技突破引发产业变革，也欢迎海内外优秀人才有志之士加入一起共创美好未来。
联盟（CASA）9项SiC MOSFET功率器件测试与可靠性标准发布
为促进产业链协同创新发展，第三代半导体产业技术创新战略联盟在产业各界的关注和支持下，2021年起布局并持续启动了SiC MOSFET功率器件的系列标准制定工作，希望能够业界建立起统一的产品可靠性评价及测试方法，树立应用市场信心，支撑新兴市场开拓。开幕式上，举行了9项SiC MOSFET功率器件测试与可靠性标准的发布仪式。
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲发布《2024年度中国第三代半导体技术十大进展》
《2024年度中国第三代半导体技术十大进展》发布
2024年，第三代半导体技术与产业发展日新月异。在快速变化的浪潮中，为了更好的把握行业前沿、凸显具有影响力和突破性的进展，为行业发展提供清晰视角，激励更多创新，大会程序委员会倡议，启动2024年度中国第三代半导体技术十大进展评选活动。截至11月10日通过自荐、推荐和公开信息整理等途径，共收到备选技术39项，经程序委员会投票、综合评议，开幕式上，“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破”、“垂直注入铝镓氮基深紫外发光器件的晶圆级制备”“基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术”等十大技术进展正式揭晓。
探新路 助力创新应用新浪潮
新科技时代背景下，创新和技术挑战持续推动着第三代半导体技术研究和应用的发展进程，展现出巨大的应用潜力，产业化水平不断提升。技术的变革升级也将深刻影响未来产业的格局塑造。
开幕大会主旨报告环节，共有九大国际重量级报告。中国科学院院士杨德仁，美国 PowerAmerica 执行董事兼CTO、ICSCRM 2024大会主席Victor VELIADIS，瑞典皇家科学院及工程院两院院士、中国科学院外籍院士Lars SAMUELSON，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀树，北京大学理学部副主任、特聘教授沈波，华为技术日本株式会社大阪研究所高级首席专家滨田公守，西安电子科技大学副校长、教授张进成，华润微电子总裁李虹等院士领衔的专家们，从产业、技术等多维度探讨产业发展的未来，共议产业发展新篇章。
半导体材料产业具有研发投入大、周期长，技术难度大、门槛高，全球市场充分竞争，头部企业国际垄断严重等特点。从半导体材料产业来看，也面临着产品水平处于中低端，先进、高端半导体材料严重依赖进口，企业规模较小，半导体材料的生长、加工设备缺乏，半导体材料的测试设备几乎空白等挑战。专家表示，尽管技术产业发展进步很快速，距离依然在。包括氮化物宽禁代半导体的材料和器件研究依然面临一系列关键科学技术问题，需继续开展深入、系统的研究工作。
开幕大会高峰对话环节，华润微电子总裁李虹，扬杰电子副董事长梁瑶，士兰微电子副总经理闻永祥，汇川技术联合创始人柏子平，南砂晶圆董事长王垚浩等头部企业带头人、实力派专家，围绕“碳化硅从6英寸逐渐向8英寸转化的产业发展趋势”、“功率器件应用市场需求释放”、“产业生态优化”等当前产业企业发展的热点重要前沿话题，前瞻与务实相结合，面对面对话探讨，现场碰撞出热烈火花。
本届论坛为期三天，除了重量级全天开幕大会，19—21日精彩将持续展开。共设有16场热点主题技术分论坛、200余个报告、5场热点产业峰会、4场强芯沙龙会客厅主题对话，还有多场卫星活动，汇聚全球顶级精英，技术与产业并举，全面覆盖半导体照明和第三代半导体及相关领域的前沿热点、技术应用、产业趋势。
论坛同期，第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS），全链条聚焦第三代半导体产业发展。论坛期间设有POSTER论文交流、现场抽奖等精彩纷呈的活动，现场氛围非常热烈。
